В журнале Nature Energy (WoS IF 46.495) опубликована статья с участием старшего научного сотрудника ИТ СО РАН к. ф.-м. н. Замчего А.О.: Malte Köhler, Manuel Pomaska, Paul Procel, Rudi Santbergen, Alexandr Zamchiy, Bart Macco, Andreas Lambertz, Weiyuan Duan, Pengfei Cao, Benjamin Klingebiel, Shenghao Li, Alexander Eberst, Martina Luysberg, Kaifu Qiu, Olindo Isabella, Friedhelm Finger, Thomas Kirchartz, Uwe Rau & Kaining Ding A silicon carbide-based highly transparent passivating contact for crystalline silicon solar cells approaching efficiencies of 24% // Nature Energy. - 2021. - DOI: 10.1038/s41560-021-00806-9. Работа выполнена в Институте энергетических исследований (IEK5 - Фотовольтаика) Исследовательского центра Юлих (Германия) в тесном сотрудничестве с коллегами из Нидерландов, России, Китая и Эквадора. Предшествующие работы коллектива показали, что высокопрозрачный пассивирующий контакт (ВПК), используемый в качестве переднего контакта для солнечных элементов (СЭ) на основе кристаллического кремния (c-Si), принципиально может сочетать высокую проводимость, отличную пассивацию поверхности пластины из c-Si и высокую оптическую прозрачность. Однако одновременная оптимизация этих свойств остается весьма сложной задачей. В опубликованном исследовании был представлен ВПК, созданный на основе ультратонкого слоя диоксида кремния (SiO2), двухслойного нанокристаллического гидрогенизированного карбида кремния n-типа (nc-SiC:H(n)), синтезированного при разных температурах, а также пленки оксида индия-олова (ITO), c Si(n)/SiO2/nc SiC:H(n)/ITO). Показано, что nc-SiC:H(n) обеспечивает высокую оптическую прозрачность, использование двухслойной плёнки обеспечивает высококачественную пассивацию и высокую проводимость карбида кремния. Продемонстрировано, что СЭ с лицевой стороной на основе предложенных ВПК имеет плотность тока короткого замыкания (40.87 мА/см2), фактор формы (80.9 %), а также КПД (23.99 ± 0.29%). Особо стоит отметить, что использование предложенного ВПК позволяет избежать дополнительных стадий гидрогенизации и высокотемпературного отжига при создании устройств. Дополнительно в работе исследован механизм пассивации и принцип работы ВПК, а также представлен анализ оптических потерь, основанный на численном моделировании, с указанием путей достижения КПД СЭ на основе ВПК на уровне 26%.