Последние новости

Вернуться к новостям

Показатели
  • Result
  • Значимая публикация
  • Значимый (международный) патент

Код классификации отраслей наук (ОЭСР)
  • Наноматериалы и нанотехнологии

Классификаторы
  • Современное производство

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
18 ноября 2019 г. 10:20

УЧЕНЫЕ ИФП СО РАН РАЗРАБОТАЛИ КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ГИБКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью): композит из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд. Подробности опубликованы в журнале Advanced electronic materials. https://www.isp.nsc.ru/sobytiya/novosti?option=com_content&task=view&id=2749

Ссылка на источник