УЧЕНЫЕ ИФП СО РАН РАЗРАБОТАЛИ КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ГИБКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ
Исследователи Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью): композит из наночастиц оксида ванадия покрытых фторированным графеном. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд. Подробности опубликованы в журнале Advanced electronic materials.
https://www.isp.nsc.ru/sobytiya/novosti?option=com_content&task=view&id=2749